光伏/風能發電儲能系統、電動汽車及充電樁、工業變頻控制系統……諸多節能降碳應用成為實現“碳達峰”“碳中和”目標的利器。而在上述應用的電子電力系統中發揮功耗控制作用的，就是小小的功率半導體器件

小體積，大功效

功率半導體是實現電能轉換的核心器件，能夠對電壓電流的運用進行有效控制，通過開關狀態的變化，實現逆變、整流、變頻等多種功能，控制對電子電力系統的能量輸出，將整個電子電力系統的能耗控制在最低范圍內，從而達到對能量的合理管理，降低能耗，減少碳排放。

功率半導體器件的不同結構決定著其不同的開關頻率、功率水平和擊穿場強，因此也決定著不同類型功率半導體的使用場景。IGBT、MOSFET是當前市面上最常見的功率半導體器件。由于所需驅動功率小、開關速度快，硅基的MOSFET在600V以下的應用中占據主流，由于導通損耗低、開關速度較快、耐壓等級高、工作結溫高、驅動方便，硅基的IGBT占據了600V~6500V高壓應用市場。

基于其具備的結構和功能，功率半導體已經成為發電、輸配電、用電等多個領域的核心器件。例如用于發電的光伏逆變器、風電變流器等設備，用于輸配電領域的直流換流閥、交直流斷路器、統一潮流控制器設備，用電領域的電動汽車電驅、電力機車電驅設備、充電樁、儲能換流器、工業變頻器或變流器等設備中，均是功率半導體發揮著突出作用。作為用以控制功率的器件，降低能耗、提升能源轉化效率本身即為功率半導體器件發展的主要方向。

此外，功率半導體還為節能降碳帶來了新的發展空間。賽晶科技集團有限公司董事長項頡在接受《中國電子報》記者采訪時表示：“功率半導體能夠創造新的電能生產和應用方式，比如電動汽車、風力發電、光伏發電、工業和民用領域電氣化，從而減少化石能源的使用；功率半導體的使用可以提高能源效率，比如變頻節能、直流輸電，從而節約能源損耗。”

IGBT成主流，國內廠商奮起直追

IGBT具備包括輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快、通態電流大、導通壓降低、損耗小等諸多優點，因此在當前市場環境中具有絕對優勢。IGBT 是一個非通即斷的開關器件，通過柵源極電壓的變化控制其關斷狀態，能夠根據信號指令來調節電壓、 電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的， 因此，IGBT成為當前功率半導體市場最主流的器件，在新能源發電、電動汽車及充電樁、電氣化船舶、直流輸電、儲能、工業電控和節能等眾多領域均有廣泛應用。

然而，掌握著全球IGBT份額的，仍主要為海外頭部廠商。英飛凌、三菱和富士，三家巨頭蠶食掉IGBT市面上70%的份額。國內IGBT廠商已有布局，但要實現技術與市場的進一步躍遷，還存在較大的挑戰。賽迪顧問集成電路中心負責人滕冉博士在接受《中國電子報》記者采訪時表示，IGBT的技術路線一直由英飛凌引導，當前英飛凌的產品已發展到第七代，而國內的IGBT技術現在僅能達到英飛凌四代、五代水平。

為盡快縮短與海外先進水平之間的差距，國內的功率半導體廠商加緊布局IGBT賽道，正努力提升其產品性能、拓展其市場空間。在國內的功率半導體企業中，比亞迪半導體、華潤微電子、士蘭微電子、斯達半島等企業的表現較為突出。

比亞迪半導體已布局IGBT的全產業鏈產品，在汽車領域的表現出色，占到國內新能源汽車市場份額的18%~20%。嘉興斯達半導起步較早，2008年開始起步，技術起點比較高，當前已具備600V/650V/1200V/1700V/3300V等多種規格IGBT模塊產品，又有MOSFET、IPM、FRD/整流模塊、晶閘管等多種類型產品，產品類型較為豐富。此外，株洲中車時代在智能電網、汽車、新能源電控等領域做了規劃，其市場約占整個汽車市場的1%左右，具備很大的發展空間。此外，華潤微和士蘭微也將IGBT作為產品線中的一支布局。

雙輪驅動：優化封裝與應用寬禁帶半導體

我國擁有全球最大的功率半導體市場，在約500億美元的全球功率半導體市場中，國內市場貢獻了35%~40的份額。“十四五”期間，以云計算、移動互聯、大數據、人工智能為代表的新一代信息技術演進，將對電源管理產品產生更大量的需求。“碳達峰”、“碳中和”目標的提出，新能源發電、電動汽車及充電樁、工業電控等眾多領域進入快速發展，將帶動IGBT 、MOSFET 產業的增長。

對于國內企業而言，日益擴大的國內市場，無疑為其發展提供了更為廣闊的發展空間。而關于如何抓住市場增長機會、如何借勢實現產業突破、如何實現產品性能提升，滕冉認為可以借助器件結構優化與襯底材料的創新的雙輪驅動方式，這是國內企業的發展機會。

比亞迪半導體股份有限公司副總經理楊欽耀在接受《中國電子報》記者采訪時表示：“更高的功率密度、開關頻率、更小的導通壓降、開關損耗、芯片尺寸、模塊體積是未來IGBT 的技術發展方向。”而在提升功率半導體產品性能的道路上，硅基器件則面臨著上升極限。硅基材料本身的限制，使得半導體器件的功率水平和開關頻率無法進一步提升。此時，SiC、GaN等寬禁帶半導體材料便成為進一步提升的功率半導體性能的新賽道。

由于現階段寬禁帶半導體制備難度大、產能低、價格高，將主要用在車輛等對可靠性要求高的高附加值產品中，這些產品與“雙碳”目標帶來的新能源發電、電動汽車及充電樁、工業電控等眾多領域的發展高度契合。此類行業對電源管理穩定性要求高、對功率半導體頻率要求高，成為寬禁帶半導體布局的核心方向。借助雙碳目標帶來的新能源電力、電動汽車、工業電氣化等降低碳排放產業的極大的促進，國內IGBT行業將有機會借助寬禁帶半導體實現“變道超車”。

寬禁帶半導體當前制備難度大、良率低、價格高，對于那些對產品價格浮動敏感、附加值較低的產品，功率半導體性能的提升則可以從優化封裝方式著手。采用更加先進的模塊化封裝，通過優化散熱性能、提高結溫等方式優化封裝，從而提高模塊的使用效率。

TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕在接受《中國電子報》記者采訪時同樣認為國內企業具備在先進封裝、寬禁帶半導體等新材料方面實現超車的可能，他表示：“從產業特性來看，功率半導體屬于特色工藝產品，更側重于制程工藝、封裝設計和新材料迭代，而不需要追趕摩爾定律，因此國內企業非常有機會后來居上。”